場發射掃描式電子顯微鏡
場發射型掃描式電子顯微鏡系利用加負壓於金屬尖端，以發電場將電子吸出尖端而形成很微小的電子束，在極高的真空中操作（-10-10torr），可得到高品質的解析度影像，隨著科學技術的發展，奈米科學與技術已成為國家高科技發展的主軸，因為它可以滿足元件更微小細微化的要求，利用各種方式將材料成分、介面結構等控制在1-100奈米的大小並改變其操控，觀測隨之而來的物理、化學與生物性質等的變化以應用於產業，而場發射型掃描式電子顯微鏡正提供了此奈米結構量測及操作所需的最重要的工具。
儀器設備說明:
機型：Hitachi-S4700，EDS機型：HORIBA
Ⅰ. 0.5~30KV
Ⅱ. 電子光源：冷場發射電子槍
Ⅲ. 放大倍率：30X ~ 500kX
Ⅳ. 高解像能觀察： Resolution ：1.5nm
Ⅴ. EDS分析：92≧原子序≧ 5
Ⅵ. 自動功能：對焦、像差修正、明亮、對比。
主要附件：
Ⅰ. EDS（化學元素定性、定量和分佈影像分析）。
樣品準備說明：
1. 樣品面積：試片高度不得高於0.8cm，試片大小需小於直徑3.2cm
2. 為避免對超高真空造成污染，檢驗的樣品不得為高揮發性、污染性、磁性粉體等物質，且不得含有水份。
3. 使用者第一次觀察必須與儀器操作技術員討論樣品處理事宜
儀器收費：
1.校外委託操作：1600元/小時、4500元/3小時
2.EDS-點/面：50元/處
3.MAPPING：100元/處
4.鍍金：200元/60秒
儀器管理者： 曹秀鳳
電話/分機：07-6577711#3986
儀器置放地點：校本部工學院1樓2101
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